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CSD18514Q5A

功能描述：40V N CH MOSFET

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：89A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：40nC @ 20V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：74W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.9 毫欧 @ 15A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-VSONP（5x6）

封装/外壳：8-PowerTDFN

标准包装：1

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